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本文摘要：台积电、英特尔在晶圆代工领域正面决斗，英特尔在8月宣告跟设计手机、汽车芯片的安谋(ARMHoldings)定案代工协议，看起来迈进一大步，但分析人士指出，英特尔整体晶圆代工能力仍领先台积电一年之幸，短期内无法对台积电导致实质威胁。

台积电、英特尔在晶圆代工领域正面决斗，英特尔在8月宣告跟设计手机、汽车芯片的安谋(ARMHoldings)定案代工协议，看起来迈进一大步，但分析人士指出，英特尔整体晶圆代工能力仍领先台积电一年之幸，短期内无法对台积电导致实质威胁。　　美系外资公开发表研究报告认为，台积电在技术、处置ARM制程的能力、晶圆生产能力、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面，都比英特尔远比强势。虽然英特尔微处理器的科技、制程都更佳，但晶圆代工能力却领先微处理器生产技术最少两年，因此大约比台积电晚了一年左右。

也就是说，英特尔短期内无法对台积电产生实质威胁。　　互为较之下，台积电的10纳米、7纳米制程技术虽领先英特尔，但台积电比英特尔提早1-2年迈入7纳米制程，可借以延长两家公司的差距。台积电在独家PCB技术整合型扇出型PCB(integratedfan-out，InFO)的帮助下，未来将会在2017年、2018年抢走10纳米和7纳米晶圆代工市场。　　最新消息表明，台积电内部预估，7纳米最慢清(2017)年4月就可开始拒绝接受客户下单。

　　台积电研发单位已在内部会议中，揭发未来几年的近期研发蓝图，根据几名资深高层的众说纷纭，该公司今年底就不会切换至10纳米，7纳米则不会在明年试产、估算明年4月就可接单，而16纳米FinFETcompact制程(FFC，比16FF+更加仪器)也将在今年引入。7纳米制程可大幅度提高省电效能(时脉大约3.8Ghz、核心电压(vcore)约1V)，临界电压(thresholdvoltage)低于平均0.4V，限于温度大约为150度。

　　报导称之为，跟16FF+相比，10纳米FinFET制程可让芯片尺寸增大50%、运算效能拉高50%、耗电量减少40%。互为较之下，7纳米(采行的应当是FinFET制程)的运算效能不能拉高15%、耗电量减少35%，电晶体密度减少163%，提高幅度颇高10纳米。这是因为，台积电的10纳米FinFET制程约等同于英特尔的14纳米，7纳米制程则大体跟英特尔的10纳米非常、甚至较逊。

　　有报导称之为，台积电高层在本周的SEMICONTaiwan国际半导体展览回应，7纳米制程未来将会在2018年Q1放量生产。台积电从2014年初开始投放7纳米制程研究，预计2017年上半转入风险生产(RiskProduction)，再行过一年后量产，配备7纳米芯片的消费产品不应可同时上市。

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